Waferdünnen (<30 μm)

Um mehrere Dies (3D-Stacking Dies) stapeln zu können, ist eine Dicke der Chips 30μm und dünner gefordert. In der Produktion kann diese Dicke nur allein durch das Schleifen nicht mehr erreicht werden. Die Kupferanschlüsse für die dreidimensionale Verdrahtung müssen kontaktlos behandelt werden, um Metallkontamination zu vermeiden. Für diese Applikation bietet PVA TePla eine ortgeschrittene Technologie für das Waferdünnen, mit Hilfe der sanften Behandlung über das Remote Plasmaätzen. Unser Entspannungsprozess am Wafer kann zusätzlich zum Waferdünnen eingesetzt werden und das bei Erreichen einer exzellenten niformity.
Das System ASYNTIS 2.2 ist speziell für hohen Durchsatz onzipiert worden. Das Waferdünnen lässt sich in-situ mit dem Entspannungsprozess (Stress Relief) und dem Passivieren kombinieren.

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