Passivieren von Oberflächen

Es gibt drei wichtige Gründe für die Oberflächenpassivierung.

1. In einem integrierten System zum Waferdünnen (Cluster-Linie) ist die Zeit zwischen Schleifen und Wafermounting zu kurz, um die Rückseite zu oxidieren. Sobald die freien Si-Bindungen Kontakt zum Sägetape haben, kann der Kleber des Tapes mit dem Silizium reagieren und so die Verbindungskraft zum Die mit der Zeit unkontrolliert erhöhen. Eine Oxyd- Passivierung, aufgewachsen mit Hilfe des Remote Plasmaprozesses, verhindert diese dhäsionsproblematik bei der In-line Produktion von dünnen Wafern sehr effektiv.

2. Der zweite Grund, warum Kunden unsere Remote Plasmapassivierung einsetzen, ist die Möglichkeit, zum sog. intrinsischen Gattern von Ionen. Oxyd-Passivieren, Nitrieren oder andere spezielle Oberflächenbehandlungen können bei elektrisch sensiblen Produkten wie NAND und DRAM’s zur enormen Verbesserung der Ausbeute führen.

3. Weiterhin lässt sich über die Passivierung die Oberflächenenergie beeinflussen und je nach Bedarf, eine hydrophobe oder hydrophile Oberfläche erzeugen. Eine hydrophile Oberfläche ist einfach zu reinigen und das Risiko, einer sich wieder ablösender Gussmasse reduziert sich, da die Rückseite der Chips durch die Passivierung nahezu partikelfrei wird.

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