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Effiziente Entfernung von SU8-Lack & Opferschichten

Courtesy of SNU, Korea Courtesy Of University of Texas at Dallas

SU-8 Fotoresist gewinnt wegen seiner guten chemischen Beständigkeit und seinen hervorragenden mechanischen Eigenschaften zunehmend an Bedeutung in der Fertigung von MEMS- und Microfluidic- Bauelementen. SU8 ist ein negativ Epoxy- Resist, geeignet für die UV-Belichtung, der mit Schichtdicken bis zu 2 mm aufgebracht werden kann. Seine hohe optische Transparenz gestatten die Benutzung von Standard Maskenbelichtungsgeräten. Aufgrund dieser Eigenschaften ist die nachtägliche Entfernung der Maske eine Herausforderung, die sich aber mit einem geeigneten Plasmaprozess bewältigen lässt. Die Kombination des Mikrowellenplasmas mit Substratkühlung und die Vermeidung energiereicher Ionen im Plasma bringen hier den gewünschten Erfolg. Das Trockenätzen von SU-8 Lack ist industriell bereits im Einsatz für die Fertigung von Mikroteilen.

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Systeme:
1
PS 300 PS 300 Serie
Die bewährte Modellreihe PS300 umfasst sowohl Anlagen für manuelle Beladung als auch automatische Anlagen für Scheibendurchmesser von 2“ bis 8“ (50-200mm).
PS 300 Serie
a
PS 800
PS 800
Photoresist-Asher mit integrierter Kassettenbeladung für 200mm Wafer, speziell konzipiert für hohen Durchsatz bei Post-Implant Strip-Prozessen.
PS 800
b
PS 4008
PS 4008
Direkt-Mikrowellen Plasma System mit großflächiger Mikrowellenquelle zur Bearbeitung von Glas-Substraten und Siliziumscheiben bis 300mm (max. 300 x 300 mm quadratisch) bei sehr niedriger Temperatur. Hauptanwendung ist das Entfernen von organischen oder anorganischen Opferschichten sowie das Strippen von SU-8 Epoxyresist in der MEMSund Flachdisplayfertigung.
PS 4008
c
M4L PS 210
Plasmasystem für Labor, Entwicklung oder Pilotfertigungsmaßstab. Ideal geeignet für das Entfernen von Fotoresist, Substratreinigung und das Abtragen der Plastikverkapselung von elektronischen Bauelementen.
PS 210
f
PS 600 PS 600
Serie Diese Modelle entsprechen der Bauweise der Serie PS 300, sind aber mit konventioneller RF-Anregung von 13,56 MHz ausgestattet. Sie finden Ihren Einsatz bei Anwendern, die bestehende Prozesse mit RF-Plasma weiterführen wollen.
PS 600
E

 

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