In der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen
ist das Entfernen der Fotolackschichten nach dem Ätzen der
Strukturen oder nach Implantation einer der am häufigsten
durchzuführenden Prozessschritte. Je nach Komplexität der
Bauelementetechnologie variiert die Anzahl dieser
Lithographieebenen zwischen 10 und 25. Zur Vorbereitung
für den nächsten Schritt muss die verbleibende
Fotolackmaske wieder entfernt werden. Dieser so genannte
„Dry Strip-Prozess“, auch Plasma-Ashing genannt, erfolgt
auf umweltschonende Weise mittels Sauerstoffplasma. PVA
TePla ist Marktführer auf dem Gebiet der mikrowellenangeregten
Batch Plasma Asher. Direkt Mikrowellen Batch
Plasma Technologie ermöglicht hohe Stripraten und hohes
Durchsatzvolumen bei sehr attraktivem Kostenniveau. Die
sog. Cost-of-Ownership ist die niedrigste im Vergleich zu
allen Strip-Technologien und liegt deutlich unter der CoO
von Einzelscheibenstrippern. Plasmaanregung mittels
Mikrowellenfrequenz (2,45GHz) unterbindet die Schädigung
von empfindlichem Gateoxid und erreicht zudem mehr als
die doppelte Abtragsrate gegenüber konventioneller
Plasmaerzeugung mit Radiofrequenz von 13,56 MHz.
PS 300 Serie
Die bewährte Modellreihe PS300 umfasst sowohl Anlagen für manuelle Beladung als auch automatische Anlagen für Scheibendurchmesser von 2“ bis 8“ (50-200mm).
PS 300 Serie
PS 4008
Direkt-Mikrowellen Plasma System mit großflächiger Mikrowellenquelle zur Bearbeitung von Glas-Substraten und Siliziumscheiben bis 300mm (max. 300 x 300 mm quadratisch) bei sehr niedriger Temperatur. Hauptanwendung ist das Entfernen von organischen oder anorganischen Opferschichten sowie das Strippen von SU-8 Epoxyresist in der MEMSund Flachdisplayfertigung.
PS 4008
PS 210
Plasmasystem für Labor, Entwicklung oder Pilotfertigungsmaßstab. Ideal geeignet für das Entfernen von Fotoresist, Substratreinigung und das Abtragen der Plastikverkapselung von elektronischen Bauelementen.
PS 210
PS 600
Serie Diese Modelle entsprechen der Bauweise der Serie PS 300, sind aber mit konventioneller RF-Anregung von 13,56 MHz ausgestattet. Sie finden Ihren Einsatz bei Anwendern, die bestehende Prozesse mit RF-Plasma weiterführen wollen.
In der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen
