Schneller Nachweis von mechanischen Spannungen in Wafern bis 300mm Durchmesser

Visualized stress in a wafer

Die Nutzung von 300mm-Wafern in der Herstellung von integrierten Schaltungen stellt neue und strengere Anforderungen an die Qualität der Siliziumscheiben. Durch den Übergang von 200mm auf 300mm Durchmesser haben sich die verfügbare Oberfläche und somit auch das Gewicht mehr als verdoppelt, während die Dicke nahezu unverändert geblieben ist. Dadurch ist das Risiko eines Scheibenbruchs innerhalb des Produktionsprozesses wesentlich höher – mit allen daraus resultierenden Konsequenzen in Kosten und zusätzlichem Aufwand. Um solchen Scheibenbrüchen bzw. Ausbeuteverlusten durch Defekte im Silizium vorzubeugen, wird der frühzeitigen Erkennung von mechanischen Spannungen (Stress) im Silizium eine immer höhere Bedeutung bei gemessen, da solcher Stress die Eigenschaften des Silizium- Kristalls negativ beeinflusst. Abhilfe schafft hier das SIRD System, dass mit seinem berührungslosen Messverfahren mechanische Spannungen schnell und einfach sichtbar und messbar macht und somit hilft, Qualität und Ausbeute zu verbessern sowie Kosten zu senken. Die möglichen Anwendungen sind vielfältig, sowohl in der Herstellung von Siliziumscheiben als auch in der Fertigung von integrierten Schaltkreisen, wobei die klassische Anwendung die Erkennung von Slip Lines nach dem Epitaxie-Prozess ist.

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Eingesetzte Produkte:
	SIRD Gerät mit Photo-elastischem Messverfahren zur Bestimmung von mechanischen Spannungen (Stress) und Kristalldefekten in der Herstellung und Bearbeitung von 300mm Silizium-Wafern. Das Gerät tastet einen gesamten Wafer optisch ab und visualisiert Defekte und Stressfelder des Wafers in etwa 7 Minuten bei einer örtlichen Auflösung von 100 μm. Der minimale noch erkennbare Spannungswert liegt bei 6 kPa für einen normalen Wafer.
SIRD