Stress Relief auf der Waferrückseite
(Entspannungsätzen)

Rückseite gegrindet	Rückseitenschleifen plus Entspannungsätzen (Stress Relief)

Das mechanische Rückseitenschleifen und Dünnen von Wafern führt zu Spannungen im Silizium, wodurch der Wafer geschwächt wird. Diese Schwächung kann mit Hilfe von PVA TePla’s Plasma Stress Relief Prozessen „repariert“ werden. Eine Schutzfolie schützt die aktive Seite des Wafers während des Dünnens (Schleifen von 725 μm auf eine Zieldicke von beispielsweise 75 μm). Anschließend wird unser Stress Relief mittels sog. “Remote-Plasma-Behandlung“ an der Waferrückseite angewandt und die beschädigte Schicht von ca. 3μm Silizium abgetragen. Kaltes Plasma (sog. Remote cold Plasma) ist ein trockener, isotropischer, chemischer Ätzprozess ohne freie Ionen oder Elektronen, die zu einer Ladung der Waferoberfläche und somit zur Schädigung der elektronischen Bauteile führen könnten. Die Schutzfolie bleibt unbeschadet, da die Prozesstemperatur auf 70°C limitiert wird. Stress Relief kann mit dem Passivieren und Waferdünnen in-situ kombiniert werden.

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