Post CMP Behandlung

Verschiedene Oberflächen nach dem trocken-chemischen Ätzen mit kaltem Remote-Plasma

PVA TePla’s kalte Remote Plasma Oberflächenbehandlung kann mit verschiedensten anderen traditionellen Waferbearbeitungsmethoden kombiniert werden (z.B. CMP). Plasma wird beispielsweise eingesetzt, um die Rückseite von Power Chips für die Metallisierung zu präparieren. Mit der Plasmareinigung kann zusätzlich die Oberfläche des Substrates aufgeraut werden, wodurch die spiegelähnliche CMP Oberfläche für die anschließende Metallisierung modifiziert wird. Dieseehandlung lässt sich in-situ mit dem Entspannungsprozess (Stress Relief) und dem Waferdünnen. kombinieren.

Für weitere Informationen hier klicken

Related Products:
	Die neue Generation Vollautomatisches Plasma System für hohe Durchsätze von 6“, 8“ und 12“ Wafern, bis hin zu 12“ geframten Wafern (Framed Wafer)
Asyntis 2.2
	OEM Plasma System mit automatischer Tür für 6“, 8“ und 12“ Wafer. Zur Integration im Cluster Tool, z. B. zwischen Grinder und Mounter.
PS 4008 AYSNTIS / OEM
	Vollautomatisches Plasma System zum Trockenätzen hoher Durchsätze von 8“ und 12“ Wafern auf Dicing Frame Substraten. Als Stand-alone oder zur Integration im Cluster Tool.
PS 80 PLUS ASYNTIS