Reaktives Ionenstrahlätzen für die Mikrostrukturierung von III/V-Materialien

Für die hochwertige Mikrostrukturierung von „wide band gap“ Verbindungshalbleitern offeriert PVA TePla die technologisch einzigartige RIBE-Anlage für Waferdurchmesser bis 100mm (4“). Typische Anwendungen sind die Erzeugung von Laserspiegeln mit extrem glatter Facettenoberfläche und kontrolliertem Böschungswinkel, wie z.B. für VCSELs gefordert. Das Modell „RIBETCH 160 ECR“ erlaubt die Betriebsmodi RIBE (Reactive Ion Beam Etching) oder CAIBE (Chemically Assisted Ion Beam Etching). Ausgerüstet mit einer Vakuumschleuse kann die Anlage mit chlorierten Prozessgasen betrieben werden. Weitere wichtige Merkmale sind die kompakte, filamentlose ECR-Ionenstrahlquelle mit Serviceschlitten und der mit Peltierkühlung versehene Substrattisch, der die rasche Kontrolle der Temperatur im Bereich von –20°C bis + 140°C erlaubt.

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Systeme:
	RIBETCH 160 ECR LL Reaktive Ionenstrahlätzanlage für hoch-qualitative Mikrostrukturierung in der Optoelektronik und Mikro-/Nanotechnologie. Geeignet für Ätzprozesse mit Argon (IBE) und Gemischen mit reaktiven Ätzgasen (RIBE, CAIBE).
RIBETCH 160 ECR