Monitorring des Implant Prozesses bei Wafern bis 300mm Durchmesser

Der Implantationsprozess ist einer der kritischen Produktionsschritte bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen. Er definiert wichtige Eigenschaften des zukünftigen Bauelementes durch gezielte Dotierung bestimmter Bereiche auf dem Wafer. Eine Nacharbeit ist oft nicht möglich, daher ist eine konstante Überwachung des Implanters und seiner Parameter eine wichtige Voraussetzung, um Ausbeute zu steigern, Kosten zu sparen und Durchlaufzeiten zu verkürzen. Die Dosismessung des Implantationsprozesses mit dem TWIN System erfolgt unmittelbar nach Prozess-Ende, wobei im Dosis-Bereich von 1010 bis 5 x 1016 bei 1 keV bis 100 MeV gemessen werden kann.

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Systeme:
	TWIN Dosisbestimmung durch Anregung mit thermischen Wellen und Messung der Reflektionsänderung. Es kann auf Monitor-Wafern sowohl mit XY- Koordinaten als auch polaren Koordinaten gemessen werden. Produkt Wafer werden mit Hilfe einer optischen Bilderkennung (Pattern Recognition) gemessen, wobei auch Doppel- und Dreifach-Implantationen mit hoher Auflösung möglich sind.
TWIN